中国存储芯片龙头企业长鑫科技正计划进一步扩大产能。据英国路透社报道，长鑫正考虑在北京建设第二座存储芯片工厂，并已与当地政府支持的科技制造产业平台展开融资谈判。新工厂拟落地北京经济技术开发区，距离其已在亦庄运营的一家动态随机存取存储器（DRAM）晶圆厂约20公里。长鑫正向开发区管理机构寻求至少6000万元人民币的资金支持，其他国有科技企业也表达了参与融资的兴趣。不过，相关谈判仍处于早期阶段，融资规模和具体方案可能调整。
8月4日，长鑫科技股价高开低走，午间收盘跌幅为0.53%，市值3.66万亿元。此次北京新厂计划是长鑫大规模扩张路线的一部分。当前人工智能基础设施投资热导致全球芯片短缺，长鑫正寻求提升产能。该公司上月底进行了首次公开发行（IPO），募资总额达579.19亿元，刷新科创板IPO最高募资纪录。
据路透社此前报道，长鑫正在上海和合肥建设新工厂，并与其他地方政府就新增生产基地展开了讨论。如果这些项目全部投产，公司整体产能有望翻倍，达到每月60万片晶圆以上。目前，长鑫在合肥运营着两座12英寸DRAM晶圆厂，在北京运营着一座12英寸晶圆厂，每座工厂月产能约10万片晶圆。按照规划，北京新厂同样将采用12英寸晶圆生产线，主要生产DRAM。
DRAM是电脑、智能手机等电子设备中的核心存储芯片，也是AI时代数据中心建设的重要基础元件。随着AI大模型快速发展，全球科技巨头纷纷加码建设数据中心，对高性能存储芯片的需求迅速增长。三星电子、SK海力士和美光科技等全球存储巨头均将现有产能转向利润率更高的高带宽存储器（HBM）和服务器DRAM，致使传统DRAM供应紧张，整个存储市场重新进入涨价周期，这给长鑫提供了增长窗口。